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IRF6715MTRPBF
1个N沟道 耐压:25V 电流:34A 180A
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- 描述
- IRF6715MPbF 将最新的 HEXFET 功率 MOSFET 硅技术与先进的 DirectFETTM 封装相结合，在具有 SO - 8 封装尺寸且厚度仅为 0.6 毫米的封装中实现了最低的导通电阻。当遵循应用笔记 AN - 1035 中的制造方法和工艺时，DirectFET 封装与电源应用中使用的现有布局几何结构、PCB 组装设备以及气相、红外或对流焊接技术兼容。DirectFET 封装支持双面散热，可最大化电力系统中的热传递，将先前的最佳热阻降低 80%
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IRF6715MTRPBF
- 商品编号
- C537795
- 商品封装
- MG-WDSON-5
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.295克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 25V | |
| 连续漏极电流(Id) | 34A；180A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.6mΩ@10V,34A | |
| 耗散功率(Pd) | 2.8W；78W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 59nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.34nF@13V | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃@(Tj) |