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IRF6643TRPBF
1个N沟道 耐压:150V 电流:6.2A 电流:35A
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IRF6643TRPBF
- 商品编号
- C537790
- 商品封装
- DirectFET
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.11克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 29mΩ@10V,7.6A | |
| 耗散功率(Pd) | 89W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 39nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.34nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 61pF | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 配置 | - |
商品概述
这款数字音频MOSFET专为D类音频放大器应用而设计。该MOSFET采用了最新的处理技术，以实现单位硅面积的低导通电阻。此外，对栅极电荷、体二极管反向恢复和内部栅极电阻进行了优化，以改善D类音频放大器的关键性能指标，如效率、总谐波失真（THD）和电磁干扰（EMI）。 IRF6643PbF器件采用了DirectFET封装技术。与传统的引线键合SOIC封装相比，DirectFET封装技术具有更低的寄生电感和电阻。更低的电感通过减少快速电流瞬变时的电压振铃来改善EMI性能。当遵循应用笔记AN - 1035中的制造方法和工艺时，DirectFET封装与电源应用中使用的现有布局几何结构、PCB组装设备以及气相、红外或对流焊接技术兼容。DirectFET封装还支持双面散热，以最大化电力系统中的热传递，改善热阻和功率耗散。这些特性相结合，使这款MOSFET成为D类音频放大器应用中高效、耐用且可靠的器件。
商品特性
- 最新的MOSFET硅技术，关键参数针对D类音频放大器应用进行优化
- 低导通电阻（RDS(on)），提高效率
- 低栅极电荷（Qg），改善THD并提高效率
- 低反向恢复电荷（Qrr），改善THD并降低EMI
- 低封装杂散电感，减少振铃并降低EMI
- 在半桥配置放大器中，每通道可向8Ω负载提供高达200W的功率
- 支持双面散热
- 与现有的表面贴装技术兼容
- 符合RoHS标准，无卤
- 无铅（可承受高达260°C的回流焊）