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IRF6613TRPBF
1个N沟道 耐压:40V 电流:150A
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- 描述
- IRF6613PbF将最新的HEXFET功率MOSFET硅技术与先进的DirectFET™封装相结合，在具有SO - 8封装尺寸且高度仅为0.7毫米的封装中实现了最低的导通电阻。当遵循应用笔记AN - 1035中有关制造方法和工艺的说明时，DirectFET封装与电源应用中使用的现有布局几何结构、PCB组装设备以及气相、红外或对流焊接技术兼容。DirectFET封装支持双面散热，可最大限度地提高电力系统中的热传递效率，相比之前最佳的热阻降低了80%
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IRF6613TRPBF
- 商品编号
- C537782
- 商品封装
- MG-WDSON-5
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.11克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 150A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.4mΩ@10V,23A | |
| 耗散功率(Pd) | 89W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.25V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 42nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.95nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 460pF | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ |
商品概述
IRF6613PbF将最新的HEXFET功率MOSFET硅技术与先进的DirectFET封装相结合，在具有SO - 8封装尺寸且厚度仅为0.7mm的封装中实现了最低的导通电阻。当遵循应用笔记AN - 1035中关于制造方法和工艺的说明时，DirectFET封装与电源应用中现有的布局几何结构、PCB组装设备以及气相、红外或对流焊接技术兼容。DirectFET封装支持双面散热，可最大限度地提高电源系统中的热传递效率，相比之前的最佳热阻降低了80%。 IRF6613PbF在低电阻和低电荷之间取得平衡，同时具有超低的封装电感，可降低传导损耗和开关损耗。总损耗的降低使该产品非常适合为新一代高频运行的处理器供电的高效DC - DC转换器。IRF6613PbF针对同步降压转换器中的关键参数进行了优化，包括导通电阻Rds(on)、栅极电荷和Cdv/dt引起的导通抗扰度。对于同步FET应用，IRF6613PbF具有特别低的导通电阻Rds(on)和高Cdv/dt抗扰度。
商品特性
- 无铅（可承受高达260°C回流焊）
- 专用MOSFET
- 低传导损耗
- 高Cdv/dt抗扰度
- 薄型（<0.7mm）
- 支持双面散热
- 与现有表面贴装技术兼容
应用领域
- CPU核心DC - DC转换器
- 为新一代高频运行的处理器供电的高效DC - DC转换器
- 同步FET应用