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IRF6618TRPBF
1个N沟道 耐压:30V 电流:170A 电流:30A
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IRF6618TRPBF
- 商品编号
- C537784
- 商品封装
- MG-WDSON-5
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.270486克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 170A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.4mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.8W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.64V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 43nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.64nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 570pF | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 配置 | - |
商品概述
IRF6618PbF将最新的HEXFET功率MOSFET硅技术与先进的DirectFET封装相结合，在具有SO - 8封装尺寸且高度仅为0.7mm的封装中实现了最低的导通电阻。DirectFET封装与电源应用中使用的现有布局几何结构、PCB组装设备以及气相、红外或对流焊接技术兼容。DirectFET封装支持双面散热，可最大限度地提高电源系统中的热传递效率，将先前的最佳热阻降低80%。 IRF6618PbF在实现行业领先的导通电阻的同时，将栅极电荷降至最低，并具有超低的封装电感，从而降低了传导损耗和开关损耗。损耗的降低使该产品非常适合为大电流负载（如最新一代微处理器）供电的高频/高效DC - DC转换器。IRF6618PbF针对同步降压转换器的同步FET插槽中的关键参数进行了优化。
商品特性
- 符合RoHS标准
- 无铅(可承受高达260°C的回流焊)
- 专用MOSFET
- 低传导损耗
- 高Cdv/dt抗扰度
- 低外形(<0.7mm)
- 支持双面散热
- 与现有表面贴装技术兼容
应用领域
-CPU核心DC-DC转换器