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IRF6617TRPBF
1个N沟道 耐压:30V 电流:14A 55A
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- 描述
- IRF6617PbF将最新的HEXFET功率MOSFET硅技术与先进的DirectFET™封装相结合，在具有Micro8™封装尺寸且厚度仅为0.7毫米的封装中实现了最低的导通电阻。当遵循应用笔记AN - 1035中的制造方法和工艺时，DirectFET封装与电源应用中使用的现有布局几何结构、PCB组装设备以及气相、红外或对流焊接技术兼容。DirectFET封装支持双面散热，可最大限度地提高电源系统中的热传递效率，比之前最佳的热阻性能提升了80%
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IRF6617TRPBF
- 商品编号
- C537783
- 商品封装
- MG-WDSON-5
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.3克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 14A；55A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8.1mΩ@10V,15A | |
| 耗散功率(Pd) | 2.1W；42W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.35V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 17nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.3nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃@(Tj) |
商品概述
IRF6617PbF将最新的HEXFET功率MOSFET硅技术与先进的DirectFET封装相结合，在具有Micro8封装尺寸且厚度仅为0.7 mm的封装中实现了极低的导通电阻。当遵循应用笔记AN - 1035中关于制造方法和工艺的要求时，DirectFET封装与电源应用中使用的现有布局几何结构、PCB组装设备以及气相、红外或对流焊接技术兼容。DirectFET封装支持双面散热，可最大限度地提高电源系统中的热传递效率，将以往最佳的热阻降低80%。 IRF6617PbF在低电阻和低电荷之间实现了平衡，同时具有极低的封装电感，可降低传导损耗和开关损耗。总损耗的降低使该产品非常适合为新一代高频运行处理器供电的高效DC - DC转换器。IRF6617PbF针对同步降压转换器中的关键参数（包括RDS(on)和栅极电荷）进行了优化，以最大限度地减少控制FET插座中的损耗。
商品特性
- 无铅（可承受高达260°C的回流焊）
- 特定应用MOSFET
- 低传导损耗
- 高Cdv/dt抗扰度
- 超薄封装(<0.7mm)
- 支持双面散热
- 与现有表面贴装技术兼容
应用领域
- CPU核心DC - DC转换器