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IRF150P221
1个N沟道 耐压:150V 电流:186A
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- 描述
- 特性：极低的导通电阻RDS(on)。 出色的栅极电荷×导通电阻（品质因数FOM）。 优化的反向恢复电荷Qrr。 工作温度可达175°C。 产品通过JEDEC标准验证。 优化了分销合作伙伴的供货能力
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IRF150P221
- 商品编号
- C537748
- 商品封装
- TO-247-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.444克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 186A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.6mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 341W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 80nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 6nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 34pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品特性
- 极低的导通电阻RDS(on)
- 出色的栅极电荷x导通电阻RDS(on)(品质因数FOM)
- 优化的反向恢复电荷Qrr
- 工作温度达175°C
- 产品通过JEDEC标准验证
- 经优化,可从分销合作伙伴处广泛获取
- 降低传导损耗
- 非常适合高开关频率应用
- 降低过冲电压
- 与额定温度为150°C的部件相比,可靠性更高
- 符合IEC61249 - 2 - 21标准的无卤产品