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IRF300P226实物图
  • IRF300P226商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IRF300P226

1个N沟道 耐压:300V 电流:100A

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描述
特性:改进的栅极、雪崩和动态dv/dt耐用性。 完全表征的电容和雪崩安全工作区。 增强的体二极管dv/dt和dv/dt能力。 无铅;符合RoHS标准;无卤。应用:UPS和逆变器应用。 半桥和全桥拓扑
商品型号
IRF300P226
商品编号
C537753
商品封装
TO-247AC​
包装方式
管装
商品毛重
7.1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)300V
连续漏极电流(Id)100A
导通电阻(RDS(on))19mΩ@10V,45A
耗散功率(Pd)556W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))4V
栅极电荷量(Qg)191nC@10V
输入电容(Ciss)10.03nF
反向传输电容(Crss)3.8pF
工作温度-55℃~+175℃

商品特性

  • 改善了栅极、雪崩和动态 dv/dt 鲁棒性
  • 全面表征了电容和雪崩安全工作区
  • 增强了体二极管的 dv/dt 和 di/dt 能力
  • 无铅;符合 RoHS 标准;无卤素

应用领域

  • 不间断电源(UPS)和逆变器应用
    • 半桥和全桥拓扑
    • 谐振模式电源
  • DC/DC 和 AC/DC 转换器
    • 或门(OR-ing)和冗余电源开关
  • 有刷和无刷直流(BLDC)电机驱动应用
    • 电池供电电路

数据手册PDF