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IRF5210STRRPBF
1个P沟道 耐压:100V 电流:38A
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- 描述
- 该设计的特点是具有150℃的结工作温度、快速开关速度和改进的重复雪崩额定值。这些特点结合在一起，使该设计成为一种极其高效和可靠的器件，可用于各种其他应用。
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IRF5210STRRPBF
- 商品编号
- C537771
- 商品封装
- D2PAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 2.03克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 38A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 60mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 230nC | |
| 输入电容(Ciss) | 2.78nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 430pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
此设计的特性包括150°C的结工作温度、快速开关速度和更高的重复雪崩额定值。这些特性相结合，使该设计成为一款极其高效可靠的器件，可广泛应用于其他各种领域。
商品特性
- 先进的工艺技术
- 超低导通电阻
- 150°C工作温度
- 快速开关
- 允许在最高结温Tjmax下进行重复雪崩
- 部分参数与IRF5210S/L不同
- P沟道
- 无铅