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IRF40DM229
1个N沟道 耐压:40V 电流:159A
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IRF40DM229
- 商品编号
- C537765
- 商品封装
- DirectFET
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.382622克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 159A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.85mΩ@10V,97A | |
| 耗散功率(Pd) | 83W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.9V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 161nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.317nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 575pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - |
商品特性
- 改善了栅极、雪崩和动态 dv/dt 鲁棒性
- 全面表征的电容和雪崩安全工作区
- 增强了体二极管的 dv/dt 和 di/dt 能力
- 无铅，符合 RoHS 标准
应用领域
- 有刷电机驱动应用-无刷直流电机驱动应用-电池供电电路-半桥和全桥拓扑-同步整流器应用-谐振模式电源-或门和冗余电源开关-DC/DC 和 AC/DC 转换器-DC/AC 逆变器