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商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 58A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 83W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 66nC | |
| 输入电容(Ciss) | 2.17nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 130pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 配置 | - |
商品特性
- 改进的栅极、雪崩和动态dV/dt耐受性
- 全面表征的电容和雪崩安全工作区(SOA)
- 增强的体二极管dV/dt和dI/dt能力
- 无铅,符合RoHS标准
应用领域
- 有刷电机驱动应用
- 无刷直流(BLDC)电机驱动应用
- 电池供电电路
- 半桥和全桥拓扑
- 同步整流器应用
- 谐振模式电源
- 或门和冗余电源开关
- DC/DC和AC/DC转换器
- DC/AC逆变器