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IR2109PBF
半桥驱动器
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- 描述
- IR2109(4)(S)是高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有依赖的高端和低端参考输出通道。专有HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在实现最小的驱动器交叉导通。浮动通道可用于驱动高端配置中工作电压高达600V的N沟道功率MOSFET或IGBT。
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IR2109PBF
- 商品编号
- C537552
- 商品封装
- PDIP-8
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.95克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 驱动配置 | 半桥 | |
| 负载类型 | MOSFET；IGBT | |
| 灌电流(IOL) | 350mA | |
| 工作电压 | 10V~20V | |
| 上升时间(tr) | 150ns |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 下降时间(tf) | 50ns | |
| 传播延迟 tpLH | 750ns | |
| 传播延迟 tpHL | 200ns | |
| 特性 | 欠压保护(UVP) | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ | |
| 静态电流(Iq) | 1mA |