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IR2125PBF
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 驱动配置 | 高边 | |
| 负载类型 | IGBT；MOSFET | |
| 驱动通道数 | 1 | |
| 灌电流(IOL) | 3.3A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 拉电流(IOH) | 1.6A | |
| 工作电压 | 12V~18V | |
| 上升时间(tr) | 43ns | |
| 下降时间(tf) | 26ns | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃@(Tj) |
商品概述
IR2125(S)是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具备过流限制保护电路。采用专有HVIC和抗闩锁CMOS技术，实现了坚固的单片式结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，最低可支持2.5V逻辑电平。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在最大限度减少驱动器的交叉导通。保护电路可检测被驱动功率晶体管的过流情况，并限制栅极驱动电压。逐周期关断功能由外部电容编程实现，该电容直接控制过流限制条件检测与锁存关断之间的时间间隔。浮动通道可用于驱动高侧或低侧配置的N沟道功率MOSFET或IGBT，最高工作电压可达500V。
商品特性
- 浮动通道专为自举操作设计，可在高达+500V的电压下完全正常工作，能耐受负瞬态电压，抗dV/dt干扰
- 栅极驱动电源范围为12至18V
- 欠压锁定功能
- 电流检测和限制环路，用于限制被驱动功率晶体管的电流
- 错误引脚指示故障状态并设置关断时间
- 输出与输入同相
- 兼容2.5V、5V和15V输入逻辑
- 也提供无铅版本
优惠活动
购买数量
(3000个/管，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个3000个/管
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