温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

IR2125SPBF

SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样

描述: 是高电压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，带有过流限制保护电路。专有HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至2.5V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在最大限度减少驱动器交叉导通。保护电路检测被驱动功率晶体管中的过电流并限制栅极驱动电压。逐个周期关断由外部电容器编程，该电容器直接控制过流限制条件检测和锁存关断之间的时间间隔。浮动通道可用于驱动工作电压高达500V的高端或低端配置的N沟道功率MOSFET或IGBT。
品牌名称: Infineon(英飞凌)
商品型号: IR2125SPBF
商品编号: C537563
商品封装: SOIC-16-300mil
包装方式: 管装
商品毛重: 0.75克(g)

商品参数

商品概述

IR2125(S)是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具备过流限制保护电路。采用专有HVIC和抗闩锁CMOS技术，实现了坚固的单片式结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，最低可支持2.5V逻辑电平。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在最大限度减少驱动器的交叉导通。保护电路可检测被驱动功率晶体管的过流情况，并限制栅极驱动电压。逐周期关断功能由外部电容编程实现，该电容直接控制过流限制条件检测与锁存关断之间的时间间隔。浮动通道可用于驱动高侧或低侧配置的N沟道功率MOSFET或IGBT，最高工作电压可达500V。

商品特性

浮动通道专为自举操作设计，可在高达+500V的电压下完全正常工作，能耐受负瞬态电压，抗dV/dt干扰
栅极驱动电源范围为12至18V
欠压锁定功能
电流检测和限制环路，用于限制被驱动功率晶体管的电流
错误引脚指示故障状态并设置关断时间
输出与输入同相
兼容2.5V、5V和15V输入逻辑
也提供无铅版本

数据手册PDF

放大查看下载PDF

优惠活动

购买数量

(25个/管，最小起订量 1 个)

个

起订量：1 个25个/管

总价金额：

￥ 0.00

近期成交2单

	属性	参数值
	商品目录	栅极驱动芯片
	驱动配置	高边
	负载类型	IGBT；MOSFET
	驱动通道数	1
	灌电流(IOL)	3.3A

	属性	参数值
	拉电流(IOH)	1.6A
	工作电压	12V~18V
	上升时间(tr)	43ns
	下降时间(tf)	26ns
	工作温度	-40℃~+150℃@(Tj)