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IR2118SPBF
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 驱动配置 | 高边 | |
| 负载类型 | IGBT；MOSFET | |
| 驱动通道数 | 1 | |
| 灌电流(IOL) | 420mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 拉电流(IOH) | 200mA | |
| 工作电压 | 10V~20V | |
| 上升时间(tr) | 80ns | |
| 下降时间(tf) | 40ns | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃@(Tj) |
商品概述
IR2117/IR2118(S) 是一款高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器。采用专有 HVIC 和抗闩锁 CMOS 技术，实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准 CMOS 输出兼容。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在最大限度减少交叉导通。浮动通道可用于驱动高侧或低侧配置的 N 沟道功率 MOSFET 或 IGBT，工作电压高达 600 伏。
商品特性
- 浮动通道专为自举操作设计，可在高达 +600V 电压下完全正常工作，耐受负瞬态电压，抗 dV/dt 干扰
- 栅极驱动电源范围为 10 至 20V
- 欠压锁定
- 带下拉电阻的 CMOS 施密特触发输入
- 输出与输入同相（IR2117）或反相（IR2118）
- 也提供无铅版本
优惠活动
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(3800个/管，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个3800个/管
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