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IR2010PBF

高端和低端驱动器

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描述: IR2010是一款高功率、高电压、高速的功率MOSFET和IGBT驱动器，具备独立的高端和低端参考输出通道。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，最低可支持3.0V逻辑。
品牌名称: Infineon(英飞凌)
商品型号: IR2010PBF
商品编号: C537536
商品封装: DIP-14
包装方式: 管装
商品毛重: 1.1克(g)

商品参数

商品概述

IR2010是一款高功率、高电压、高速的功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，最低可支持3.0V逻辑电平。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在最大程度减少驱动器的交叉导通。传播延迟经过匹配，便于在高频应用中使用。浮动通道可用于驱动高端配置中的N沟道功率MOSFET或IGBT，最高工作电压可达200V。采用专有HVIC和抗闩锁CMOS技术，实现了坚固的单片结构。

商品特性

浮动通道专为自举操作而设计
最高可在200V下完全正常工作
耐受负瞬态电压，抗dV/dt干扰
栅极驱动电源范围为10至20V
双通道均具备欠压锁定功能
与3.3V逻辑兼容
独立逻辑电源范围为3.3V至20V
逻辑地和功率地之间允许±5V的偏移
带下拉电阻的CMOS施密特触发输入
关断输入可同时关闭两个通道
具备交叉导通预防逻辑
双通道传播延迟匹配
输出与输入同相

应用领域

转换器
直流电机驱动

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	属性	参数值
	商品目录	栅极驱动芯片
	驱动配置	半桥
	负载类型	IGBT；MOSFET
	驱动通道数	2
	灌电流(IOL)	3A
	拉电流(IOH)	3A
	工作电压	10V~20V

	属性	参数值
	上升时间(tr)	10ns
	下降时间(tf)	15ns
	传播延迟 tpLH	95ns
	传播延迟 tpHL	65ns
	特性	欠压保护(UVP)
	工作温度	-40℃~+150℃@(Tj)