IR2011PBF
IR2011PBF
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- 描述
- 是一款高功率、高速功率MOSFET驱动器,具有独立的高端和低端参考输出通道。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容,低至3.0V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级,旨在实现最小的驱动器交叉导通。传播延迟匹配,便于在高频应用中使用。浮动通道可用于驱动高端配置中工作电压高达200伏的N沟道功率MOSFET。专有HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IR2011PBF
- 商品编号
- C537538
- 商品封装
- PDIP-8
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1.14克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 驱动配置 | 低边;高边 | |
| 负载类型 | MOSFET | |
| 驱动通道数 | 2 | |
| 灌电流(IOL) | 1A | |
| 拉电流(IOH) | 1A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作电压 | 10V~20V | |
| 上升时间(tr) | 35ns | |
| 下降时间(tf) | 20ns | |
| 特性 | - | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃@(Tj) |
商品概述
IR2011是一款高功率、高速功率MOSFET驱动器,具有独立的高端和低端参考输出通道。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容,最低可支持3.0V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级,旨在最大程度减少驱动器的交叉导通。传播延迟经过匹配,便于在高频应用中使用。浮动通道可用于驱动高端配置的N沟道功率MOSFET,其工作电压最高可达200V。专利的HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。
商品特性
- 浮动通道专为自举操作而设计
- 可在高达200V的电压下完全正常工作
- 耐受负瞬态电压,抗dV/dt干扰
- 栅极驱动电源范围为10至20V
- 独立的低端和高端通道
- 输入逻辑HIN/LIN高电平有效
- 两个通道均具备欠压锁定功能
- 与3.3V和5V逻辑兼容
- 带下拉功能的CMOS施密特触发输入
- 两个通道的传播延迟相匹配
应用领域
- 转换器
- 直流电机驱动
优惠活动
购买数量
(3000个/管,最小起订量 1 个)个
起订量:1 个3000个/管
总价金额:
¥ 0.00近期成交1单
