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IR2011PBF实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IR2011PBF

IR2011PBF

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描述
是一款高功率、高速功率MOSFET驱动器,具有独立的高端和低端参考输出通道。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容,低至3.0V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级,旨在实现最小的驱动器交叉导通。传播延迟匹配,便于在高频应用中使用。浮动通道可用于驱动高端配置中工作电压高达200伏的N沟道功率MOSFET。专有HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。
商品型号
IR2011PBF
商品编号
C537538
商品封装
PDIP-8​
包装方式
管装
商品毛重
1.14克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录栅极驱动芯片
驱动配置低边;高边
负载类型MOSFET
驱动通道数2
灌电流(IOL)1A
拉电流(IOH)1A
属性参数值
工作电压10V~20V
上升时间(tr)35ns
下降时间(tf)20ns
特性-
工作温度-40℃~+150℃@(Tj)

商品概述

IR2011是一款高功率、高速功率MOSFET驱动器,具有独立的高端和低端参考输出通道。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容,最低可支持3.0V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级,旨在最大程度减少驱动器的交叉导通。传播延迟经过匹配,便于在高频应用中使用。浮动通道可用于驱动高端配置的N沟道功率MOSFET,其工作电压最高可达200V。专利的HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。

商品特性

  • 浮动通道专为自举操作而设计
  • 可在高达200V的电压下完全正常工作
  • 耐受负瞬态电压,抗dV/dt干扰
  • 栅极驱动电源范围为10至20V
  • 独立的低端和高端通道
  • 输入逻辑HIN/LIN高电平有效
  • 两个通道均具备欠压锁定功能
  • 与3.3V和5V逻辑兼容
  • 带下拉功能的CMOS施密特触发输入
  • 两个通道的传播延迟相匹配

应用领域

  • 转换器
  • 直流电机驱动

数据手册PDF

优惠活动

购买数量

(3000个/管,最小起订量 1 个)
起订量:1 个3000个/管

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