IR2102PBF
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 驱动配置 | 半桥 | |
| 负载类型 | IGBT;MOSFET | |
| 驱动通道数 | 2 | |
| 灌电流(IOL) | 270mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 拉电流(IOH) | 130mA | |
| 工作电压 | 10V~20V | |
| 上升时间(tr) | 100ns | |
| 下降时间(tf) | 50ns | |
| 工作温度 | - |
商品概述
IR2101(S)/IR2102(S)是高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器,具有独立的高端和低端参考输出通道。专利的HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容,可低至3.3V逻辑电平。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级,旨在最大程度减少驱动器的交叉导通。浮动通道可用于驱动高端配置中的N沟道功率MOSFET或IGBT,其工作电压最高可达600V。
商品特性
- 浮动通道专为自举操作设计,可在高达+600V的电压下完全正常工作,耐受负瞬态电压,抗dV/dt干扰
- 栅极驱动电源范围为10至20V
- 欠压锁定功能
- 与3.3V、5V和15V逻辑输入兼容
- 两个通道的传播延迟匹配
- 输出与输入同相(IR2101)或反相(IR2102)
- 也提供无铅版本
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