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IRF100P218
耐压:100V 电流:483A
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- 描述
- 特性：极低的导通电阻RDS(on)。 出色的栅极电荷×导通电阻（FOM）。 优化的反向恢复电荷Qrr。 175℃工作温度。 根据JEDEC标准进行产品验证。 针对分销合作伙伴的广泛供应进行了优化
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IRF100P218
- 商品编号
- C537740
- 商品封装
- TO-247-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 5.6克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 483A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.28mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 556W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.8V@278uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 330nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 24nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 150pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 3.5nF |
商品特性
- 极低的导通电阻RDS(on)
- 出色的栅极电荷×导通电阻RDS(on)（品质因数FOM）
- 优化的反向恢复电荷Qrr
- 175°C工作温度
- 产品符合JEDEC标准验证
- 针对分销合作伙伴的广泛供货进行优化