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IRF1404ZSTRLPBF
1个N沟道 耐压:40V 电流:180A
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- 描述
- 该HEXFET功率MOSFET采用最新的处理技术，在每单位硅面积上实现极低导通电阻。该设计的其他特点包括175℃的结工作温度、快速开关速度和改进的重复雪崩额定值。这些特点结合在一起，使该设计成为一种极其高效和可靠的器件，可用于各种应用。
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IRF1404ZSTRLPBF
- 商品编号
- C537744
- 商品封装
- D2PAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.69克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 180A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.7mΩ@10V,75A | |
| 耗散功率(Pd) | 200W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 150nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.34nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 550pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
这款HEXFET功率MOSFET采用最新的加工技术，以实现单位硅片面积极低的导通电阻。该设计的其他特性包括175°C的结工作温度、快速开关速度和更高的重复雪崩额定值。这些特性相结合，使该设计成为一款极其高效且可靠的器件，适用于各种应用。
商品特性
- 先进的制程技术
- 超低导通电阻
- 175°C工作温度
- 快速开关
- 允许在最高结温Tjmax下进行重复雪崩
- 无铅