IPZA60R024P7
IPZA60R024P7
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPZA60R024P7
- 商品编号
- C537520
- 商品封装
- TO-247-4
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.718克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 63A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 24mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 291W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 164nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 7.144nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.136nF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
CoolMOS™ 第七代平台是一项用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。600V CoolMOS™ P7系列是CoolMOS™ P6系列的继任者。它将快速开关超结MOSFET的优势与出色的易用性相结合，例如极低的振铃倾向、体二极管在硬换相时的出色鲁棒性以及优异的静电放电（ESD）能力。此外，极低的开关和导通损耗使开关应用更加高效、紧凑且散热更好。
商品特性
- 由于具有出色的换相鲁棒性,适用于硬开关和软开关(PFC和LLC)
- 显著降低开关和导通损耗
- 所有产品的ESD鲁棒性优异,>2kV(人体模型HBM)
- 低RDS(on)A(低于1欧姆平方毫米)使产品的RDS(on)/封装比竞品更优
应用领域
-PFC级-硬开关PWM级-谐振开关级,例如用于PC电源、适配器、液晶和等离子电视、照明、服务器、电信和不间断电源(UPS)