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IPZA60R037P7
600V CoolMOS P7功率晶体管
- 描述
- 7 代平台是高压功率 MOSFET 的革命性技术，根据超结 (SJ) 原理设计。结合了快速开关 SJ MOSFET 的优点和出色的易用性，例如极低的振铃趋势、体二极管对硬换向的出色鲁棒性和出色的 ESD 能力。极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑和凉爽。
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPZA60R037P7
- 商品编号
- C537521
- 商品封装
- TO-247-4
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 48A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 37mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 255W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 121nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.243nF | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
CoolMOS第七代平台是高压功率MOSFET的一项革命性技术，它基于超结（SJ）原理设计。600V CoolMOS P7系列是CoolMOS P6系列的继任者。它将快速开关SJ MOSFET的优势与出色的易用性相结合，例如极低的振铃倾向、体二极管在硬换向时的出色耐用性以及出色的ESD能力。此外，极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑且散热更好。
商品特性
- 由于具有出色的换向耐用性,适用于硬开关和软开关(PFC和LLC)
- 显著降低开关和传导损耗
- 所有产品的ESD耐用性出色,>2kV(HBM)
- 低RDS(on)A(低于1Ohmmm2)使产品的RDS(on)/封装比竞品更优
应用领域
- PFC级
- 硬开关PWM级
- 谐振开关级,例如用于PC电源、适配器、LCD和PDP电视、照明、服务器、电信和UPS