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IPZ65R065C7
650V 21A
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- 描述
- CoolMOS是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。CoolMOS C7系列结合了领先的SJ MOSFET供应商的经验与高级创新。产品组合提供了快速开关超结MOSFET的所有优势，具有更高的效率、更低的栅极电荷、易于实施和出色的可靠性。
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPZ65R065C7
- 商品编号
- C537518
- 商品封装
- TO-247-4
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.718克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 21A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 65mΩ@10V,17.1A | |
| 耗散功率(Pd) | 171W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 64nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.02nF@400V | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.11nF@400V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
CoolMOS™ 是一项用于高压功率MOSFET的革命性技术，依据超结（SJ）原理设计。 CoolMOS™ C7系列融合了领先的SJ MOSFET供应商的经验与一流的创新技术。该产品组合具备快速开关超结MOSFET的所有优势，能提供更高的效率、更低的栅极电荷、易于实施且可靠性出众。
商品特性
- 增强了MOSFET的dv/dt鲁棒性
- 凭借同类最佳的品质因数RDS(on) * Eoss和RDS(on) * Qg实现更高的效率
- 同类最佳的RDS(on)/封装
- 由于设有驱动源极引脚，便于更好地控制栅极，因此易于使用/驱动
- 无铅镀层，无卤模塑料
- 依据JEDEC（J-STD20和JESD22）标准，适用于工业级应用
应用领域
- 例如计算机、服务器、电信、UPS和太阳能等领域的PFC级和硬开关PWM级。