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IPZ60R070P6

IPZ60R070P6

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商品型号
IPZ60R070P6
商品编号
C537513
商品封装
TO-247-4​
包装方式
管装
商品毛重
7.718克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)600V
连续漏极电流(Id)33.8A
导通电阻(RDS(on))70mΩ@10V
耗散功率(Pd)391W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))4.5V
栅极电荷量(Qg)100nC@10V
输入电容(Ciss)4.75nF
反向传输电容(Crss)-
工作温度-55℃~+150℃

商品概述

CoolMOS™ 是一项用于高压功率 MOSFET 的革命性技术,依据超结(SJ)原理设计。CoolMOS™ P6 系列融合了领先的 SJ MOSFET 供应商的经验与一流的创新技术。所提供的器件具备快速开关 SJ MOSFET 的所有优势,同时不牺牲易用性。极低的开关损耗和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑、轻便且散热性能更好。

商品特性

  • 增强了 MOSFET 的 dv/dt 鲁棒性
  • 由于极低的品质因数 Rdson*Qg 和 Eoss,实现极低损耗
  • 极高的换向鲁棒性
  • 同类产品中最佳的 RDS(on)/封装
  • 由于采用驱动源极引脚,便于更好地控制栅极,易于使用/驱动
  • 无铅镀层,无卤模塑料
  • 符合 JEDEC(J-STD20 和 JESD22)工业级应用标准
  • 四引脚开尔文源极概念

应用领域

  • 例如计算机、服务器、电信和 UPS 等领域的 PFC 级、硬开关 PWM 级和谐振开关级。

数据手册PDF