IPZ60R099P6
1个N沟道 耐压:600V 电流:37.9A
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPZ60R099P6
- 商品编号
- C537515
- 商品封装
- TO-247-4
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.718克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 24A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 99mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 278W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 70nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.33nF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
CoolMOS是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。CoolMOS P6系列融合了领先的SJ MOSFET供应商的经验与卓越创新。所提供的器件在不牺牲易用性的前提下，具备快速开关SJ MOSFET的所有优势。极低的开关损耗和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑、轻便且散热更佳。
商品特性
- 增强了MOSFET的dv/dt鲁棒性
- 由于极低的品质因数Rdson*Qg和Eoss,损耗极低
- 极高的换向鲁棒性
- 同类产品中最佳的RDS(on)/封装
- 由于采用驱动源极引脚,便于更好地控制栅极,因此易于使用/驱动
- 无铅镀层,无卤模塑料
- 根据JEDEC(J-STD20和JESD22)标准,适用于工业级应用
- 四引脚开尔文源极概念
应用领域
- 例如,用于计算、服务器、电信和UPS的PFC级、硬开关PWM级和谐振开关级。