IPZ60R060C7
IPZ60R060C7
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPZ60R060C7
- 商品编号
- C537512
- 商品封装
- TO-247-4
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.718克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 54A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 60mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 162W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 68nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.85nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.05nF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
CoolMOS™ C7是用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。 600V CoolMOS™ C7系列融合了领先的SJ MOSFET供应商的经验与一流的创新技术。 600V C7是首款导通电阻RDS(on)与面积A的乘积低于1欧姆·平方毫米的技术。
商品特性
- 适用于硬开关和软开关(PFC和高性能LLC)
- 将MOSFET的dv/dt抗扰度提高至120V/ns
- 凭借一流的品质因数RDS(on) * Eoss和RDS(on) * Qg提升效率
- 一流的导通电阻RDS(on)/封装比
- 易于使用/驱动
- 无铅镀层,无卤模塑料
- 根据JEDEC(J-STD20和JESD22)标准,适用于工业级应用
- 四引脚开尔文源极概念
应用领域
- 用于高功率/高性能开关电源(SMPS)的PFC级和PWM级(TTF、LLC),如计算机、服务器、电信、UPS和太阳能领域。