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SI7336ADP-T1-GE3-MS实物图
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SI7336ADP-T1-GE3-MS

SI7336ADP-T1-GE3-MS

描述
此款SI7336ADP-T1-GE3-MS是一款N沟道MOS管,采用DFN5X6-8L封装,适应现代电子产品的小型化设计需求。该器件在30V的最大漏源电压(VDSS)下稳定运行,可处理高达150A的连续漏极电流(ID),展现强大的电流承载能力。其独特优势在于仅2mΩ的超低导通电阻(RD(on)),有效降低功率损耗,提高系统能效,广泛应用于电源转换、电机驱动、新能源系统等高功率场合,是您实现高效、节能电路设计的理想半导体组件。
品牌名称
MSKSEMI(美森科)
商品型号
SI7336ADP-T1-GE3-MS
商品编号
C51927962
商品封装
DFN-8L(5x6)​
包装方式
编带
商品毛重
0.2234克(g)

商品参数

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参数完善中

商品概述

SI7336ADP-T1-GE3采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。

商品特性

  • VDS = 30V,ID = 150A
  • 在VGS = 10V时,RDS(ON) < 2.4mΩ

应用领域

  • 电池保护-负载开关-不间断电源

数据手册PDF