SI7336ADP-T1-GE3-MS
SI7336ADP-T1-GE3-MS
- 描述
- 此款SI7336ADP-T1-GE3-MS是一款N沟道MOS管,采用DFN5X6-8L封装,适应现代电子产品的小型化设计需求。该器件在30V的最大漏源电压(VDSS)下稳定运行,可处理高达150A的连续漏极电流(ID),展现强大的电流承载能力。其独特优势在于仅2mΩ的超低导通电阻(RD(on)),有效降低功率损耗,提高系统能效,广泛应用于电源转换、电机驱动、新能源系统等高功率场合,是您实现高效、节能电路设计的理想半导体组件。
- 品牌名称
- MSKSEMI(美森科)
- 商品型号
- SI7336ADP-T1-GE3-MS
- 商品编号
- C51927962
- 商品封装
- DFN-8L(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.2234克(g)
商品参数
参数完善中
商品概述
SI7336ADP-T1-GE3采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 30V,ID = 150A
- 在VGS = 10V时,RDS(ON) < 2.4mΩ
应用领域
- 电池保护-负载开关-不间断电源
