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BSC072N08NS5-MS
采用先进SGT MOSFET技术的N沟道MOSFET，具备低导通电阻、低栅极电荷、快速开关和出色的雪崩特性
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- 描述
- 此款BSC072N08NS5-MS是一款采用DFN5X6-8L封装的高效N沟道MOSFET，专注于提供卓越的电源管理解决方案。器件具备100V的额定电压VDSS，能可靠处理高达85A的连续电流，满足严苛的电流传输需求。其核心技术亮点是4.3mR的超低导通电阻RD(on)，有效降低系统功耗，大幅提升能效。无论应用于电源转换、电机驱动、或者新能源领域，BSC072N08NS5 凭借出色的电气性能和紧凑尺寸，成为您的理想半导体元件之选。
- 品牌名称
- MSKSEMI(美森科)
- 商品型号
- BSC072N08NS5-MS
- 商品编号
- C51927961
- 商品封装
- DFN-8L(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 85V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.3mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 107.8W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 61.3nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 4.645nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 41pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 673pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
BSC072N08NS5-MS采用先进的SGT MOSFET技术,可实现低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷、快速开关以及出色的雪崩特性。 该器件经过专门设计,具备更高的耐用性和适用性。
商品特性
- VDS = 85 V,ID = 100 A
- RDS(ON) < 5.6 mΩ,Vgs = 10 V
应用领域
-消费电子电源-电机控制-同步整流隔离直流-同步整流应用