LMG5200MOFT

LMG5200器件是一款80 V、10 A驱动器与氮化镓（GaN）半桥功率级的组合，采用增强型氮化镓（GaN）场效应晶体管（FET），提供集成式功率级解决方案。该器件由两个80 V GaN FET组成，由一个高频GaN FET驱动器以半桥配置驱动。 GaN FET在功率转换方面具有显著优势，因为它们的反向恢复近乎为零，且输入电容CISS非常小。所有器件均安装在无键合线的封装平台上，可将封装寄生元件降至最低。LMG5200器件采用6 mm×8 mm×2 mm无铅封装，可轻松安装在印刷电路板（PCB）上。 与TTL逻辑兼容的输入可承受高达12 V的输入电压，不受VCC电压的影响。专有的自举电压钳位技术可确保增强型GaN FET的栅极电压处于安全工作范围内。 该器件通过提供更人性化的接口，进一步发挥了分立GaN FET的优势。对于需要在小尺寸下实现高频、高效运行的应用而言，它是理想的解决方案。与TPS53632G控制器配合使用时，LMG5200可实现从48 V到负载点电压（0.5 - 1.5 V）的直接转换。

• 集成15 mΩ GaN FET和驱动器
• 80 V连续电压、100 V脉冲电压额定值
• 封装经过优化，便于PCB布局，无需底部填充、爬电距离和电气间隙要求
• 极低的共源电感，确保在硬开关拓扑中实现高转换速率开关，且不会产生过度振铃
• 适用于隔离和非隔离应用
• 栅极驱动器可实现高达10 MHz的开关频率
• 内部自举电源电压钳位，防止GaN FET过驱动
• 电源轨欠压锁定保护
• 出色的传播延迟（典型值29.5 ns）和匹配度（典型值2 ns）
• 低功耗

• 宽输入电压多兆赫兹同步降压转换器
• 音频D类放大器
• 电信、工业和企业计算领域的48 V负载点（POL）转换器
• 高功率密度单相和三相电机驱动器