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JNG25T65KS1
650V 50A
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- 描述
- 沟槽式IGBT为电机控制、通用逆变器和其他软开关应用等提供更低的损耗和更高的能源效率。
- 品牌名称
- JIAENSEMI(佳恩半导体)
- 商品型号
- JNG25T65KS1
- 商品编号
- C51484251
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.9克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | - | |
| 耗散功率(Pd) | 138.9W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 650V | |
| 集电极电流(Ic) | 50A | |
| 集电极脉冲电流(Icm) | 75A | |
| 集电极截止电流(Ices) | - | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 2.7V@25A,15V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 5.1V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 31.2nC@480V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | 978pF | |
| 输出电容(Coes) | 90pF | |
| 反向传输电容(Cres) | 8pF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 22ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 75ns | |
| 导通损耗(Eon) | 660uJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 490uJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 60ns | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
JIAEN沟槽型IGBT具有更低的损耗和更高的能效，适用于电机控制、通用逆变器及其他软开关应用。
商品特性
- 650V, 25A - VCE(sat)(典型值) = 2.1V，在VGE = 15V、IC = 25A条件下
- 高速开关
- 更高的系统效率
- 软电流关断波形
- 方形反向偏置安全工作区