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SI2302-HXY实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

SI2302-HXY

1个N沟道 耐压:20V 电流:2.8A

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描述
这款N型场效应管,适用于高效能应用。具备2.8A的电流承载能力,最高20V的工作电压,以及43mΩ的典型内阻。其VGS为12V,确保了稳定的性能表现。适合用于对电子系统稳定性和效率有较高要求的场景。
商品型号
SI2302-HXY
商品编号
C4748714
商品封装
SOT-23​
包装方式
编带
商品毛重
0.033克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)2.3A
导通电阻(RDS(on))48mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)900mW
阈值电压(Vgs(th))750mV
属性参数值
栅极电荷量(Qg)2.9nC@4.5V
输入电容(Ciss)260pF
反向传输电容(Crss)27pF
工作温度-55℃~+150℃
配置独立式
类型N沟道
输出电容(Coss)48pF

数据手册PDF