1个N沟道 耐压:20V 电流:2.8A
- 50+: ¥0.075923 / 个
- 500+: ¥0.060318 / 个
- 3000+: ¥0.046817 / 个 (折合1圆盘140.45元)
- 6000+: ¥0.041615 / 个 (折合1圆盘124.85元)
- 24000+: ¥0.039535 / 个 (折合1圆盘118.61元)
- 51000+: ¥0.038147 / 个 (折合1圆盘114.44元)
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24000+: |
¥0.039535 / 个 (折合1圆盘118.61元) |
51000+: |
¥0.038147 / 个 (折合1圆盘114.44元) |
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商品介绍
属性 | 参数值 | |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 1个N沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 20V | |
连续漏极电流(Id) | 2.8A | |
功率(Pd) | 900mW | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 55mΩ@4.5V,2.8A | |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1.2V@250uA | |
输入电容(Ciss@Vds) | 260pF@10V |