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C3M0040120K-HXY

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描述
本产品为1200V N沟道碳化硅场效应管(MOSFET),具备60A的连续漏极电流能力,导通电阻为40mΩ,适用于高效率、高频工作的电力电子系统。碳化硅材料带来优异的热导率和耐高压特性,有效提升器件在高功率密度环境下的稳定性和可靠性。该器件适用于多种高性能电源应用,如光伏逆变、储能电源、高频开关电源等,具备出色的开关性能和损耗控制能力,满足复杂应用场景下的高效能设计需求。
商品型号
C3M0040120K-HXY
商品编号
C50346528
商品封装
TO-247-4L​
包装方式
管装
商品毛重
6.65克(g)

商品参数

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