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C3M0040120K-HXY
C3M0040120K-HXY
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- 描述
- 本产品为1200V N沟道碳化硅场效应管（MOSFET），具备60A的连续漏极电流能力，导通电阻为40mΩ，适用于高效率、高频工作的电力电子系统。碳化硅材料带来优异的热导率和耐高压特性，有效提升器件在高功率密度环境下的稳定性和可靠性。该器件适用于多种高性能电源应用，如光伏逆变、储能电源、高频开关电源等，具备出色的开关性能和损耗控制能力，满足复杂应用场景下的高效能设计需求。
- 商品型号
- C3M0040120K-HXY
- 商品编号
- C50346528
- 商品封装
- TO-247-4L
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 6.65克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 78A | |
| 耗散功率(Pd) | 405W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 131nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 2.101nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 14pF | |
| 工作温度 | -40℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 161pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 50mΩ |