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C3M0040120D-HXY
C3M0040120D-HXY
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- 描述
- 本产品为1200V碳化硅N沟道场效应晶体管（MOSFET），具备优异的电学性能和稳定性。其最大漏极电流ID为60A，导通电阻RDON低至40mΩ，支持在高电压和大电流条件下实现高效能功率转换。该器件基于碳化硅材料，具有良好的热传导性和高频工作能力，适用于高功率电源转换系统、新能源发电设备及高密度电力电子模块。结构设计紧凑，便于集成，可满足对效率、可靠性和空间利用率有较高要求的电子系统应用需求。
- 商品型号
- C3M0040120D-HXY
- 商品编号
- C50346535
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 6.51克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 55A | |
| 耗散功率(Pd) | 278W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 120nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 2.44nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 11pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 171pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 52mΩ |