C3M0040120D-HXY

C3M0040120D-HXY

描述

本产品为1200V碳化硅N沟道场效应晶体管（MOSFET），具备优异的电学性能和稳定性。其最大漏极电流ID为60A，导通电阻RDON低至40mΩ，支持在高电压和大电流条件下实现高效能功率转换。该器件基于碳化硅材料，具有良好的热传导性和高频工作能力，适用于高功率电源转换系统、新能源发电设备及高密度电力电子模块。结构设计紧凑，便于集成，可满足对效率、可靠性和空间利用率有较高要求的电子系统应用需求。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

C3M0040120D-HXY

商品编号

C50346535

商品封装

TO-247​

包装方式

管装

商品毛重

6.51克(g)