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UF3C120080K3S-HXY
UF3C120080K3S-HXY
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- 描述
- 本产品为1200V N沟道碳化硅场效应管（MOSFET），采用高纯度碳化硅材料，具备优异的耐高压与热导性能。其漏源导通电阻（RDON）为80毫欧，能在高频率与高电压环境下实现较低的导通损耗，提升整体能效。额定漏极电流（ID）为36A，适用于高功率密度电源系统。该器件具备快速开关特性与良好的稳定性，可广泛应用于高效电源变换、新能源发电设备及高频电力电子装置，为复杂应用场景下的电力系统提供坚实的技术支持。
- 商品型号
- UF3C120080K3S-HXY
- 商品编号
- C50346542
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 6.26克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 36A | |
| 耗散功率(Pd) | 192W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 71nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 1.13nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 7.6pF | |
| 工作温度 | -56℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 92pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 98mΩ |
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