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MSC040SMA120B4-HXY实物图
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MSC040SMA120B4-HXY

MSC040SMA120B4-HXY

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描述
本产品为1200V N沟道碳化硅场效应管(MOSFET),具有60A的漏极电流能力,导通电阻为40mΩ,具备优异的导通与开关性能。基于碳化硅材料,器件在高温与高频工作条件下表现出良好的稳定性和较低的能量损耗,适用于高效电源转换、精密电机驱动及高功率密度电子系统的设计应用。结构设计优化,有助于提升系统整体能效与响应速度。
商品型号
MSC040SMA120B4-HXY
商品编号
C50346538
商品封装
TO-247-4L​
包装方式
管装
商品毛重
6.66克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录碳化硅场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)1.2kV
连续漏极电流(Id)78A
耗散功率(Pd)405W
阈值电压(Vgs(th))4V
栅极电荷量(Qg)131nC
属性参数值
输入电容(Ciss)2.101nF
反向传输电容(Crss)14pF
工作温度-40℃~+175℃
输出电容(Coss)161pF
导通电阻(RDS(on))50mΩ

数据手册PDF