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E3M0075120K-HXY
E3M0075120K-HXY
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- 描述
- 本产品为1200V N沟道碳化硅场效应管（MOSFET），采用高性能碳化硅半导体技术，具有出色的热稳定性和高耐压特性。器件漏极电流ID可达32A，导通电阻RDON低至75mΩ，有效降低导通损耗，提升整体能效。适用于高功率密度、高频开关的电力电子系统，如高效能电源模块、储能变换装置及智能能源管理电路，满足复杂环境下高效、可靠运行的需求。
- 商品型号
- E3M0075120K-HXY
- 商品编号
- C50346539
- 商品封装
- TO-247-4L
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 6.65克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 32A | |
| 耗散功率(Pd) | 136W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 53nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 1.39nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2pF | |
| 工作温度 | -40℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 58pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 90mΩ |