E3M0075120D-HXY

E3M0075120D-HXY

描述

本产品为1200V N沟道碳化硅场效应管（MOSFET），具备36A的连续漏极电流能力，导通电阻为80mΩ，展现出良好的导电效率与较低的功率损耗。基于碳化硅材料特性，该器件在高温与高频工作条件下仍能保持稳定性能，提升了整体系统效率与可靠性。适用于高效电源转换、新能源发电配套设备及高性能电子电力装置，在多种复杂环境下实现高效的能量管理与控制。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

E3M0075120D-HXY

商品编号

C50346541

商品封装

TO-247​

包装方式

管装

商品毛重

6.27克(g)