温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
E3M0075120D-HXY
E3M0075120D-HXY
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 本产品为1200V N沟道碳化硅场效应管（MOSFET），具备36A的连续漏极电流能力，导通电阻为80mΩ，展现出良好的导电效率与较低的功率损耗。基于碳化硅材料特性，该器件在高温与高频工作条件下仍能保持稳定性能，提升了整体系统效率与可靠性。适用于高效电源转换、新能源发电配套设备及高性能电子电力装置，在多种复杂环境下实现高效的能量管理与控制。
- 商品型号
- E3M0075120D-HXY
- 商品编号
- C50346541
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 6.27克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 36A | |
| 耗散功率(Pd) | 192W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 71nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 1.13nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 7.6pF | |
| 工作温度 | -56℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 92pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 98mΩ |
相似推荐
其他推荐