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SICW080N120Y4-BP-HXY
SICW080N120Y4-BP-HXY
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- 描述
- 本产品为1200V N沟道碳化硅场效应管（MOSFET），具备优异的导电性能与高效的开关特性。其最大漏极电流ID为32A，导通电阻RDON低至75mΩ，能够有效降低导通损耗，提高系统效率。高耐压特性使其适用于多种高功率密度电源转换场景，如高效能电源适配器、光伏逆变系统及高频率DC-DC转换器。器件基于碳化硅材料，具备良好的热稳定性和抗辐射能力，适用于复杂电磁环境下的长期稳定运行。
- 商品型号
- SICW080N120Y4-BP-HXY
- 商品编号
- C50346540
- 商品封装
- TO-247-4L
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 6.69克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 32A | |
| 耗散功率(Pd) | 136W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 53nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 1.39nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2pF | |
| 工作温度 | -40℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 58pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 90mΩ |
优惠活动
购买数量
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