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C3M0160120D-HXY
C3M0160120D-HXY
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- 描述
- 本产品为1200V高压碳化硅N沟道场效应晶体管（MOSFET），具备良好的导通特性和开关表现。其最大连续漏极电流ID为19A，漏源导通电阻RDON为160mΩ，能够在高电压环境下实现较为高效的电能传输。碳化硅材料的使用赋予器件高耐压能力、优异的热稳定性和较低的开关损耗，适用于对效率和可靠性有较高要求的电力电子系统。该器件可应用于高效能电源转换装置、新能源发电系统以及智能电力控制设备中，为复杂电路提供稳定、耐用的电子解决方案。
- 商品型号
- C3M0160120D-HXY
- 商品编号
- C50346537
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 6.44克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 18A | |
| 耗散功率(Pd) | 125W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 40nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 606pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 55pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 196mΩ |
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