温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
NTH4L013N120M3S-HXY
NTH4L013N120M3S-HXY
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 本产品为1200V高压碳化硅N沟道场效应晶体管（MOSFET），具备优异的导通与开关性能。其最大连续漏极电流ID可达165A，漏源导通电阻RDON低至13mΩ，有效降低导通损耗，提高系统效率。采用碳化硅材料，具备高耐压、高热导率和低开关损耗特性，适用于高功率密度和高频开关场景。可广泛用于高效电源转换系统、可再生能源设备及智能电网相关电路中，提供稳定可靠的电力控制与传输解决方案。
- 商品型号
- NTH4L013N120M3S-HXY
- 商品编号
- C50346536
- 商品封装
- TO-247-4L
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 6.65克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 167A | |
| 耗散功率(Pd) | 555W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.9V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 216nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 3.815nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 29pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 239pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 13mΩ |
优惠活动
购买数量
(30个/管，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个30个/管
总价金额：
￥ 0.00近期成交0单