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IMZA120R014M1HXKSA1-HXY
IMZA120R014M1HXKSA1-HXY
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- 描述
- 本产品为1200V高压碳化硅N沟道场效应晶体管（MOSFET），具备优异的导通与开关性能。其最大漏极电流ID可达165A，导通电阻RDON低至13毫欧，能够有效降低导通损耗，提高系统效率。碳化硅材料的使用使其具备更高的击穿电场强度和热导率，适用于高电压、高频率和高功率密度的电源转换系统。该器件可广泛应用于高效能电力电子设备中，如智能电网、可再生能源系统及高精度电机控制模块，为系统提供稳定、可靠的电力支持。
- 商品型号
- IMZA120R014M1HXKSA1-HXY
- 商品编号
- C50346532
- 商品封装
- TO-247-4L
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 6.69克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 167A | |
| 耗散功率(Pd) | 555W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.9V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 216nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 3.815nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 29pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 239pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 13mΩ |