C3M0065090D-HXY

C3M0065090D-HXY

描述

本款碳化硅场效应管（MOSFET）采用先进的碳化硅材料，具备优异的导热性和耐高压特性，适用于高效率、高频率的功率转换场景。其主要参数包括：最大漏极电流（ID）为36A，漏源击穿电压（VDSS）高达900V，导通电阻（RDON）低至65mΩ，器件类型为N沟道结构。该器件在设计上兼顾了低损耗与高可靠性，适用于电源适配器、储能系统、光伏逆变器及其他高性能电力电子设备，为复杂工况下的稳定运行提供保障。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

C3M0065090D-HXY

商品编号

C50346533

商品封装

TO-247​

包装方式

管装

商品毛重

6.45克(g)