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C3M0065090D-HXY
C3M0065090D-HXY
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- 描述
- 本款碳化硅场效应管（MOSFET）采用先进的碳化硅材料，具备优异的导热性和耐高压特性，适用于高效率、高频率的功率转换场景。其主要参数包括：最大漏极电流（ID）为36A，漏源击穿电压（VDSS）高达900V，导通电阻（RDON）低至65mΩ，器件类型为N沟道结构。该器件在设计上兼顾了低损耗与高可靠性，适用于电源适配器、储能系统、光伏逆变器及其他高性能电力电子设备，为复杂工况下的稳定运行提供保障。
- 商品型号
- C3M0065090D-HXY
- 商品编号
- C50346533
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 6.45克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 900V | |
| 连续漏极电流(Id) | 36A | |
| 耗散功率(Pd) | 125W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 35nC | |
| 输入电容(Ciss) | 760pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 66pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 78mΩ |