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AIMZH120R080M1TXKSA1-HXY
SiC功率MOSFET N沟道增强模式
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- 描述
- 本产品为N沟道碳化硅场效应管（MOSFET），具备优异的导通性能和高可靠性。其漏极电流ID为32A，漏源电压VDSS为1200V，导通电阻RDON低至75mΩ，适合用于对效率和稳定性要求较高的电路设计。碳化硅材料的特性使该器件具备良好的高温耐受性和高频工作能力，适用于电源转换、能源管理、高性能计算及精密电子设备中的功率控制应用。
- 商品型号
- AIMZH120R080M1TXKSA1-HXY
- 商品编号
- C50346534
- 商品封装
- TO-247-4L
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 6.64克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 32A | |
| 耗散功率(Pd) | 136W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 53nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.39nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2pF | |
| 工作温度 | -40℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 58pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 90mΩ |