G3R160MT12D-HXY

G3R160MT12D-HXY

描述

本产品为1200V N沟道碳化硅场效应管（MOSFET），具备优异的导通与开关性能。其最大漏极电流（ID）为19A，导通电阻（RDON）低至160mΩ，能够有效降低导通损耗并提升系统效率。碳化硅材料的使用使其具备更高的击穿电场强度与热导率，支持高频、高压与高温环境下的稳定工作。适用于高效电源转换系统、可再生能源设备及精密电子装置中的功率控制与能量调节。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

G3R160MT12D-HXY

商品编号

C50346531

商品封装

TO-247​

包装方式

管装

商品毛重

6.49克(g)