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G3R160MT12D-HXY
G3R160MT12D-HXY
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- 描述
- 本产品为1200V N沟道碳化硅场效应管（MOSFET），具备优异的导通与开关性能。其最大漏极电流（ID）为19A，导通电阻（RDON）低至160mΩ，能够有效降低导通损耗并提升系统效率。碳化硅材料的使用使其具备更高的击穿电场强度与热导率，支持高频、高压与高温环境下的稳定工作。适用于高效电源转换系统、可再生能源设备及精密电子装置中的功率控制与能量调节。
- 商品型号
- G3R160MT12D-HXY
- 商品编号
- C50346531
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 6.49克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 18A | |
| 耗散功率(Pd) | 125W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 40nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 606pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 55pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 196mΩ |