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SC013N120TCL-HXY
SC013N120TCL-HXY
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- 描述
- 本款碳化硅场效应管（MOSFET）采用N沟道结构，具备高电流承载能力，最大连续漏极电流（ID）可达165A，漏源击穿电压（VDSS）为1200V，确保在高压环境下稳定工作。导通电阻（RDON）低至13mΩ，有效降低导通损耗，提高系统效率。器件基于碳化硅材料打造，具备优异的热稳定性和开关性能，适用于高频率、高效率电力转换场景，如电源模块、储能系统及智能电网中的功率调节装置。
- 商品型号
- SC013N120TCL-HXY
- 商品编号
- C50346530
- 商品封装
- TO-247-4L
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 6.65克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 167A | |
| 耗散功率(Pd) | 555W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.9V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 216nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 3.815nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 29pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 239pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 13mΩ |