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温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

IRFR220PBF

1个N沟道 耐压:200V 电流:4.8A

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描述
第三代功率MOSFET提供了快速开关、坚固的器件设计、低导通电阻和成本效益的最佳组合。DPAK专为使用气相、红外或波峰焊技术进行表面贴装而设计。直插式版本（IRFU、SiHFU系列）适用于通孔安装应用。在典型的表面贴装应用中，功率耗散水平可达1.5 W。
品牌名称
VISHAY(威世)
商品型号
IRFR220PBF
商品编号
C511009
商品封装
DPAK(TO-252)​
包装方式
管装
商品毛重
0.616克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)200V
连续漏极电流(Id)4.8A
导通电阻(RDS(on))800mΩ@10V,2.9A
耗散功率(Pd)42W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))2V
栅极电荷量(Qg)14nC@10V
输入电容(Ciss)260pF
反向传输电容(Crss)30pF
工作温度-55℃~+150℃

数据手册PDF

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