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SIS407ADN-T1-GE3
1个P沟道 耐压:20V 电流:18A
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIS407ADN-T1-GE3
- 商品编号
- C511017
- 商品封装
- PowerPAK1212-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.063克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 16.7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9mΩ@4.5V,18A | |
| 耗散功率(Pd) | 3.7W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 400mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 63nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.875nF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 168pF@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- TrenchFET功率MOSFET
- 低热阻PowerPAK封装
- 100%进行Rg和UIS测试
- 符合RoHS标准，无卤素
应用领域
- 负载开关-电池开关-电源管理
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