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SQ4917EY-T1_GE3
停产 2个P沟道 耐压:60V 电流:8A
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- 描述
- 特性：TrenchFET功率MOSFET。 AEC-Q101合格。 100% Rg和UIS测试
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SQ4917EY-T1_GE3
- 商品编号
- C511413
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.12克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 48mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 65nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.91nF | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品特性
- 沟槽式场效应功率MOSFET
- 通过AEC - Q101认证
- 100%进行栅极电阻(Rg)和非钳位感性开关(UIS)测试
- 符合RoHS标准且无卤素
- T55A107M007C0070
- US1G-E3/5AT
- V20WL45-M3/I
- VJ0805Y105KXQTW1BC
- VJ0805Y224KXATW1BC
- VS-ETH3006FP-M3
- MKP1848530704K2
- VY2222M35Y5US6TV7A
- BYG20JHE3_A/H
- CNY17F-4X007T
- KBL06-E4/51
- MMA02040E1003BB300
- SIC438BED-T1-GE3
- VJ0603Y104KXAAC
- VS-4CSH02HM3/86A
- VS-50WQ10FNTRHM3
- VSMD66694
- VSSA310SHM3_A/H
- 5KASMC24AHM3_A/H
- BFC233860102
- IHLP6767GZER2R2M51