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SQSA80ENW-T1_GE3
1个N沟道 耐压:80V 电流:18A
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- 描述
- 特性：TrenchFET功率MOSFET。 AEC-Q101合格。 100% Rg和UIS测试
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SQSA80ENW-T1_GE3
- 商品编号
- C511563
- 商品封装
- PowerPAK-1212-8W
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.062克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 18A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 21mΩ@10V,10A | |
| 耗散功率(Pd) | 62.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 21nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.358nF@40V | |
| 反向传输电容(Crss) | 19pF@40V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 422pF |
商品概述
汽车级N沟道80 V（D-S）、175 °C MOSFET，采用PowerPAK 1212-8W单封装。用于开关应用的MOSFET如今可实现约1mΩ的芯片导通电阻，且能承受85 A的电流。PowerPAK是一种解决这些问题的新型封装技术。PowerPAK 1212-8在小封装中提供超低热阻，非常适合空间受限的应用。PowerPAK 1212-8封装是PowerPAK SO-8的衍生产品，采用相同的封装技术，最大化芯片面积。芯片附着焊盘底部外露，为器件所安装的基板提供直接、低电阻的热通路。PowerPAK 1212-8的占位面积与TSOP-6相当，比标准TSSOP-8小40%以上。其芯片容量是标准TSOP-6的两倍多。热性能比SO-8好一个数量级，比TSSOP-8好20倍。其热性能优于市场上所有现有的表面贴装（SMT）封装。它可充分利用任何印刷电路板（PC板）的散热能力。与TSSOP-8相比，降低结温还可使芯片效率提高约20%。对于通常仅出于散热考虑而需要更大封装的应用，PowerPAK 1212-8是一个不错的选择。PowerPAK高度仅1.05 mm，这两种版本都是空间受限应用的理想选择。
商品特性
- 沟槽式场效应功率MOSFET
- 通过AEC-Q101认证
- 100%进行Rg和UIS测试
- 符合RoHS标准且无卤
- N沟道MOSFET