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SI8416DB-T2-E1
1个N沟道 耐压:8V 电流:16A
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- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SI8416DB-T2-E1
- 商品编号
- C511547
- 商品封装
- MicroFoot-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.152克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 8V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 23mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.77W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 350mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 17nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.47nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 450pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- TrenchFET功率MOSFET
- 超小外形,最大尺寸为1.5 mm x 1 mm
- 超薄设计,最大高度为0.59 mm
- 符合RoHS标准
- 无卤
应用领域
-便携式设备的低导通电阻负载开关-低功耗、低压降-延长电池使用寿命-节省PCB空间