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SIR873DP-T1-GE3实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

SIR873DP-T1-GE3

1个P沟道 耐压:150V 电流:29A

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描述
特性:TrenchFET功率MOSFET。 极低的RDS(ON),可将传导产生的功率损耗降至最低。 100%进行Rg和UIS测试。应用:DC/DC电源中的有源钳位。 电池保护
品牌名称
VISHAY(威世)
商品型号
SIR873DP-T1-GE3
商品编号
C511490
商品封装
PowerPAKSO-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.134克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)150V
连续漏极电流(Id)29A
导通电阻(RDS(on))47.5mΩ@10V,10A
耗散功率(Pd)66.6W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))4V
栅极电荷量(Qg)31.8nC@10V
输入电容(Ciss)1.805nF@75V
反向传输电容(Crss)-
工作温度-55℃~+150℃

商品特性

  • 国际标准封装
  • 塑封焊片
  • 高压封装
  • 低漏源导通电阻(RDS(ON))和栅极电荷(QG)
  • 雪崩额定
  • 2500V电气隔离
  • 低封装电感
  • 高功率密度
  • 易于安装
  • 节省空间

应用领域

  • 开关模式和谐振模式电源
  • 直流-直流转换器
  • 功率因数校正(PFC)电路
  • 交流和直流电机驱动器
  • 机器人技术和伺服控制

数据手册PDF