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SIR873DP-T1-GE3
1个P沟道 耐压:150V 电流:29A
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- 描述
- 特性：TrenchFET功率MOSFET。 极低的RDS(ON)，可将传导产生的功率损耗降至最低。 100%进行Rg和UIS测试。应用：DC/DC电源中的有源钳位。 电池保护
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIR873DP-T1-GE3
- 商品编号
- C511490
- 商品封装
- PowerPAKSO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.134克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 29A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 47.5mΩ@10V,10A | |
| 耗散功率(Pd) | 66.6W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 31.8nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.805nF@75V | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
优惠活动
购买数量
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起订量：1 个3000个/圆盘
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